MOSFET Vishay SiHS90N65E-GE3, VDSS 700 V, ID 85 A, Super-247 de 3 pines
- Código RS:
- 228-2885
- Referência do fabricante:
- SiHS90N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 228-2885
- Referência do fabricante:
- SiHS90N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 85 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 700 V | |
| Serie | E Series | |
| Tipo de Encapsulado | Super-247 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,029 Ω | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V | |
| Material del transistor | Si | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 85 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 700 V | ||
Serie E Series | ||
Tipo de Encapsulado Super-247 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 0,029 Ω | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 4V | ||
Material del transistor Si | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay reduce las pérdidas de conducción y conmutación.
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Baja capacitancia efectiva (Co(er))
Baja capacitancia efectiva (Co(er))
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