MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG21N80AEF-GE3, VDSS 850 V, ID 16.3 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*

8,35 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
2 - 184,175 €8,35 €
20 - 983,545 €7,09 €
100 - 1983,095 €6,19 €
200 - 4982,545 €5,09 €
500 +2,045 €4,09 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
228-2868
Referência do fabricante:
SIHG21N80AEF-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

16.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

850V

Serie

E

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

250mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

47nC

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay reduce las pérdidas de conducción y conmutación.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (Co(er))

Links relacionados