MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 850 V, ID 16.3 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 tubo de 25 unidades)*

64,80 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 27 de outubro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Tubo*
25 - 252,592 €64,80 €
50 - 1002,436 €60,90 €
125 - 2252,203 €55,08 €
250 +2,074 €51,85 €

*preço indicativo

Código RS:
228-2867
Referência do fabricante:
SIHG21N80AEF-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

16.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

850V

Encapsulado

TO-247

Serie

E

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

250mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

47nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay reduce las pérdidas de conducción y conmutación.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (Co(er))

Links relacionados