MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJA16EP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 278 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- Código RS:
- 225-9957
- Referência do fabricante:
- SQJA16EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
13,32 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,332 € | 13,32 € |
| 100 - 240 | 1,252 € | 12,52 € |
| 250 - 490 | 1,134 € | 11,34 € |
| 500 - 990 | 1,067 € | 10,67 € |
| 1000 + | 1,001 € | 10,01 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 225-9957
- Referência do fabricante:
- SQJA16EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 278A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | N-Channel 60 V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.5mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 278A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerPAK (8x8L) | ||
Serie N-Channel 60 V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.5mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.15mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.
Certificación AEC-Q101
100 % Rg y UIS probados
Encapsulado delgado de 1,6 mm
Resistencia térmica muy baja
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 278 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ174EP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 293 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ180EP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 248 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ128ELP-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 437 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJQ160E-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 602 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ138ELP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 315 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJQ144AE-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 575 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJQ186E-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 245 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines