MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQJQ118E-T1_GE3, VDSS 100 V, ID 155 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines

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Código RS:
735-271
Referência do fabricante:
SQJQ118E-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

155A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK (8x8L)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0098Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

122nC

Disipación de potencia máxima Pd

230W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

8mm

Altura

1.9mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
CN

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