MOSFET, N-Canal Vishay SQJ138ELP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 315 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
225-9948
Referência do fabricante:
SQJ138ELP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

315A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

N-Channel 40 V

Encapsulado

PowerPAK (8x8L)

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.1Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

500W

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

78nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5mm

Longitud

6.25mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.

Certificación AEC-Q101

100 % Rg y UIS probados

Encapsulado delgado de 1,6 mm

Resistencia térmica muy baja

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