MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR122LDP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 62.3 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- Código RS:
- 225-9924
- Referência do fabricante:
- SIR122LDP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 225-9924
- Referência do fabricante:
- SIR122LDP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 62.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | N-Channel 80 V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 52nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 62.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PowerPAK (8x8L) | ||
Serie N-Channel 80 V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Longitud 6.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja
Ajustado para el FOM RDS x QOSS más bajo
100 % Rg y UIS probados
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