MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS127IXTSA1, VDSS 600 V, ID 21 mA, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 225-0559
- Referência do fabricante:
- BSS127IXTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 225-0559
- Referência do fabricante:
- BSS127IXTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | BSS127I | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 600Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.65nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.8mm | |
| Anchura | 3.7 mm | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie BSS127I | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 600Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.65nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.8mm | ||
Anchura 3.7 mm | ||
Longitud 6.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon BSS127I es el MOSFET de canal N y P de potencia pequeña y señal pequeña que proporciona una amplia gama de niveles VGS(th) y valores RDS(on), así como varias clases de tensión. Este MOSFET tiene opciones de modo de reducción y mejora.
Ahorro de espacio y costes en PCB
Flexibilidad de accionamiento de puerta
Reducción de la complejidad del diseño
Respetuosa con el medio ambiente
Alta eficiencia general
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