MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 250 V, ID 0.1 A, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 250-0543
- Referência do fabricante:
- BSS139H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
507,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 16 de novembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,169 € | 507,00 € |
| 6000 - 6000 | 0,161 € | 483,00 € |
| 9000 + | 0,151 € | 453,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 250-0543
- Referência do fabricante:
- BSS139H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Serie | BSS | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5mΩ | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Serie BSS | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ | ||
Modo de canal Reducción | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor de señal pequeña SIPMOS de Infineon es un transistor MOSFET de señal pequeña de modo de agotamiento de canal N ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos. Tiene calificación dv /dt. Está disponible con indicador VGS(th) en el carrete. Tiene chapado de cable sin plomo y sin halógeno
Chapado sin plomo
La disipación de potencia máxima es de 360 mW
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS139H6327XTSA1, VDSS 250 V, ID 0.1 A, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 250 V, ID 100 mA, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS139IXTSA1, VDSS 250 V, ID 100 mA, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 0.9 A, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSS169H6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 0.9 A, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 230 mA, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 21 mA, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS126IXTSA1, VDSS 600 V, ID 21 mA, Reducción, SOT-23 de 3 pines