MOSFET, N-Canal Infineon BSS126IXTSA1, VDSS 600 V, ID 21 mA, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 236-4397
- Referência do fabricante:
- BSS126IXTSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
168,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 3000 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,056 € | 168,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 236-4397
- Referência do fabricante:
- BSS126IXTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS® | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 700Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.5W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Anchura | 1.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie SIPMOS® | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 700Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.5W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Anchura 1.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie SIPMOS® de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 600 V, disipación de potencia máxima de 0,5 W - BSS126IXTSA1
Este MOSFET es un transistor de modo de agotamiento de canal N de señal pequeña diseñado para electrónica de montaje en superficie que requiere conmutación de alta tensión en huellas compactas. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para aplicaciones de baja corriente en las que se prefiere un dispositivo de modo de agotamiento para proporcionar un comportamiento normalmente encendido y un control de puerta simplificado.
Características y ventajas:
• La tensión de drenaje-fuente máxima de 600 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua máxima de 21 mA admite circuitos de baja potencia
• La resistencia máxima de drenaje-fuente de 700 Ω limita la conducción en estado activo
• La tensión directa de 1,2 V reduce la caída de tensión en vías accionadas
• La carga de puerta típica de 1,4 nC permite una energía de accionamiento de puerta modesta
• La disipación de potencia máxima de 0,5 W es adecuada para presupuestos térmicos de baja potencia
• La corriente de drenaje continua máxima de 21 mA admite circuitos de baja potencia
• La resistencia máxima de drenaje-fuente de 700 Ω limita la conducción en estado activo
• La tensión directa de 1,2 V reduce la caída de tensión en vías accionadas
• La carga de puerta típica de 1,4 nC permite una energía de accionamiento de puerta modesta
• La disipación de potencia máxima de 0,5 W es adecuada para presupuestos térmicos de baja potencia
Aplicaciones
• Apto para redes de polarización de alta tensión en diseños analógicos
• Ideal para circuitos de protección de baja corriente y resistencias de purga
• Se utiliza con controladores de señal pequeña que requieren un comportamiento de modo de agotamiento
• Se puede utilizar para la dirección de corriente en los extremos delanteros del sensor
• Adecuado para subcircuitos de gestión de potencia compactos en convertidores
• Ideal para circuitos de protección de baja corriente y resistencias de purga
• Se utiliza con controladores de señal pequeña que requieren un comportamiento de modo de agotamiento
• Se puede utilizar para la dirección de corriente en los extremos delanteros del sensor
• Adecuado para subcircuitos de gestión de potencia compactos en convertidores
¿Qué rango de tensión de puerta se puede aplicar de manera segura?
Se admite un potencial de puerta a fuente de hasta 20 V para un funcionamiento normal.
¿Qué rango térmico tolerará el dispositivo durante el uso?
Está diseñado para funcionar entre −55 °C y 150 °C en entornos variados.
¿Cómo está encapsulado el componente para el montaje en PCB?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie SOT-23 adecuado para colocación automatizada.
¿Qué envoltura mecánica debe permitirse en el tamaño de la placa de circuito impreso?
El encapsulado mide aproximadamente 3 mm de longitud, 1,4 mm de anchura y 1,1 mm de altura para la planificación de patrones de tierra.
¿Cumple el dispositivo la clasificación de grado automovilístico?
No está especificado como componente estándar de automoción y no debe suponerse que cumple estos criterios.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS126IXTSA1, VDSS 600 V, ID 21 mA, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 21 mA, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS126H6327XTSA2, VDSS 600 V, ID 21 mA, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 250 V, ID 0.1 A, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 0.9 A, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS139H6327XTSA1, VDSS 250 V, ID 0.1 A, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSS169H6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 0.9 A, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 230 mA, Reducción, SOT-23 de 3 pines