MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1700 V, ID 7 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines
- Código RS:
- 212-2091
- Referência do fabricante:
- SCT1000N170
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 212-2091
- Referência do fabricante:
- SCT1000N170
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1700V | |
| Serie | SCT1000N170 | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.66Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 96W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13.3nC | |
| Tensión directa Vf | 4.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Anchura | 20.15 mm | |
| Altura | 5.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1700V | ||
Serie SCT1000N170 | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.66Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 96W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13.3nC | ||
Tensión directa Vf 4.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.75mm | ||
Anchura 20.15 mm | ||
Altura 5.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
SiC MOSFET
STMicroelectronics: El MOSFET de potencia de carburo de silicio se fabrica aprovechando las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una resistencia de conexión inigualable por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación casi independiente de la temperatura. Las excelentes propiedades térmicas del material SiC, combinadas con la carcasa del dispositivo en el encapsulado HiP247 propio, permiten a los diseñadores utilizar un contorno estándar del sector con una capacidad térmica significativamente mejorada.
Rendimiento de conmutación de alta velocidad
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Capacitancias bajas
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