MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 1700 V, ID 7.4 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 222-4850
- Referência do fabricante:
- IMBF170R650M1XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 222-4850
- Referência do fabricante:
- IMBF170R650M1XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1700V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | IMBF1 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 650mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1700V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie IMBF1 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 650mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon CoolSiC™ 1700 V, 650 mΩ SiC en un encapsulado de separación alta TO-263-7 está optimizado para topologías de retorno que se utilizan en fuentes de alimentación auxiliares conectadas a tensiones de enlace dc de 600 V a 1.000 V en numerosas aplicaciones de alimentación.
Optimizado para topologías de devolución de vuelo
Pérdida de conmutación extremadamente baja
Tensión de fuente de puerta de 12 V / 0 V compatible con controladores de retorno
DV/dt completamente controlable para optimización EMI
Encapsulado SMD con separación y separación mejoradas, > 7 mm
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