MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 12 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines
- Código RS:
- 222-4919
- Referência do fabricante:
- IPL65R195C7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 222-4919
- Referência do fabricante:
- IPL65R195C7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | ThinPAK | |
| Serie | IPL60R | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 195mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 75W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado ThinPAK | ||
Serie IPL60R | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 195mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 75W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Longitud 8.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon CoolMOS™ C7 superJunction MOSFET es un paso adelante revolucionario en tecnología, que proporciona el RDS(on)/encapsulado más bajo del mundo y, gracias a sus bajas pérdidas de conmutación, mejoras de eficiencia en el rango de carga completa
Margen de seguridad mejorado y adecuado para aplicaciones SMPS e inversor solar
Pérdidas de conducción/encapsulado más bajas
Pérdidas de conmutación bajas
Mejor eficiencia de carga ligera
Aumento de la densidad de potencia
Excelente calidad CoolMOS™
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