MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 21 A, Mejora, ThinPAK 8x8 de 5 pines
- Código RS:
- 240-6621
- Referência do fabricante:
- IPL65R160CFD7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 240-6621
- Referência do fabricante:
- IPL65R160CFD7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | IPL | |
| Encapsulado | ThinPAK 8x8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 95mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 171W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie IPL | ||
Encapsulado ThinPAK 8x8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 95mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 171W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 8.1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de súper unión CFD7 CoolMOS™ de 650 V de Infineon se suministra en un encapsulado ThinPAK 8x8 y es ideal para topologías resonantes en aplicaciones industriales, como servidores, telecomunicaciones, solares y estaciones de carga EV, en las que permite mejoras significativas de eficiencia en comparación con la competencia. Como sucesor de la familia CFD2 SJ MOSFET, se suministra con carga de puerta reducida, comportamiento de desconexión mejorado y carga de recuperación inversa reducida que permite la máxima eficiencia y densidad de potencia, así como una tensión de ruptura adicional de 50 V.
Pérdidas de conmutación significativamente reducidas en comparación con la competencia
Margen de seguridad adicional para diseños con mayor tensión de bus
Eficiencia de carga completa mejorada en aplicaciones SMPS industriales
Alta densidad de potencia
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