MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPL60R185CFD7AUMA1, VDSS 650 V, ID 14 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines
- Código RS:
- 215-2522
- Referência do fabricante:
- IPL60R185CFD7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 215-2522
- Referência do fabricante:
- IPL60R185CFD7AUMA1
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- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | ThinPAK | |
| Serie | 600V CoolMOS CFD7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 185mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 85W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 8.1mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado ThinPAK | ||
Serie 600V CoolMOS CFD7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 185mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 85W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 8.1mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La Infineon 600V Cool MOS™ CFD7 es la última tecnología de MOSFET de unión superrápida de alta tensión con diodo de cuerpo rápido integrado, que completa la serie Cool MOS™ 7. El MOS™ CFD7 frío se suministra con carga de puerta reducida (QG), comportamiento de desconexión mejorado y una carga de recuperación inversa (Qrr) de hasta un 69% inferior en comparación con la competencia, así como el menor tiempo de recuperación inversa (trr) del mercado.
Diodo de cuerpo ultrarrápido
La mejor carga de recuperación inversa (Qrr) de su clase
Diodo inverso dv/dt y resistencia dif/dt mejorados
FOM RDS(on) x QG y Eoss más bajos
Las mejores combinaciones RDS(on)/package de su clase
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