MOSFET, N-Canal Infineon IMBF170R1K0M1XTMA1, VDSS 1700 V, ID 5.2 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 222-4849
- Referência do fabricante:
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
9,98 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 564 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,99 € | 9,98 € |
| 20 - 48 | 4,495 € | 8,99 € |
| 50 + | 3,995 € | 7,99 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 222-4849
- Referência do fabricante:
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1700V | |
| Serie | IMBF1 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1700V | ||
Serie IMBF1 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie IMBF1 de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 1700 V, disipación de potencia de 68 W - IMBF170R1K0M1XTMA1
Este MOSFET es un dispositivo semiconductor de alta tensión diseñado para controlar y conmutar la potencia en conjuntos de montaje en superficie. Funciona como un transistor de modo de mejora de canal N, proporcionando una conducción controlada entre el drenador y la fuente para aplicaciones de gestión de potencia en un amplio rango de temperaturas.
Características y ventajas:
• La clasificación de 1700 V permite el funcionamiento en circuitos de alta tensión
• La corriente continua de 5.2 A admite corrientes de carga moderadas
• La disipación de potencia de 68 W permite un manejo térmico sostenido
• La resistencia de drenaje-fuente de 1 Ω limita las pérdidas por conducción
• La tolerancia de puerta de 23 V permite una tensión de accionamiento de puerta considerable
• El encapsulado TO-263 de montaje en superficie simplifica el montaje de la placa
• La corriente continua de 5.2 A admite corrientes de carga moderadas
• La disipación de potencia de 68 W permite un manejo térmico sostenido
• La resistencia de drenaje-fuente de 1 Ω limita las pérdidas por conducción
• La tolerancia de puerta de 23 V permite una tensión de accionamiento de puerta considerable
• El encapsulado TO-263 de montaje en superficie simplifica el montaje de la placa
Aplicaciones
• Apto para conmutación de alta tensión en fuentes de alimentación industriales
• Ideal para etapas de conversión de potencia que requieren una disipación sostenida
• Se utiliza con los extremos delanteros del inversor para manejar tensiones elevadas
• Se puede utilizar para controles resistentes a temperaturas amplias
• Apto para módulos de alimentación de PCB compactos con componentes de montaje en superficie
• Ideal para etapas de conversión de potencia que requieren una disipación sostenida
• Se utiliza con los extremos delanteros del inversor para manejar tensiones elevadas
• Se puede utilizar para controles resistentes a temperaturas amplias
• Apto para módulos de alimentación de PCB compactos con componentes de montaje en superficie
¿Qué temperaturas extremas puede tolerar durante el funcionamiento?
Está especificado para funcionar de -55 °C hasta +175 °C.
¿Cuántos contactos presenta el paquete para la planificación del diseño?
El dispositivo se suministra en un encapsulado de 7 contactos para referencia de tamaño de PCB.
¿Qué método de montaje es necesario para el montaje?
Está diseñado para montaje en superficie en un tamaño TO-263.
¿Qué tipo de conducción de canal utiliza para la conmutación?
Emplea un canal de tipo N en modo de mejora para una conmutación controlada.
¿Está diseñado para cumplir las normas de automoción?
No está designado conforme a los estándares de automoción.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 1700 V, ID 5.2 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 1700 V, ID 7.4 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBF170R650M1XTMA1, VDSS 1700 V, ID 7.4 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Littelfuse, VDSS 1700 V, ID 4.5 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Wolfspeed, VDSS 1700 V, ID 5.3 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Littelfuse LSIC1MO170T0750-TU, VDSS 1700 V, ID 4.5 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Wolfspeed C2M1000170J, VDSS 1700 V, ID 5.3 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 5.2 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
