MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPU80R4K5P7AKMA1, VDSS 800 V, ID 1.5 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4717
- Referência do fabricante:
- IPU80R4K5P7AKMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
5,24 €
Adicione 380 unidades para obter entrega gratuita
Em stock
- Mais 60 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,262 € | 5,24 € |
| 100 - 180 | 0,216 € | 4,32 € |
| 200 - 480 | 0,211 € | 4,22 € |
| 500 - 980 | 0,205 € | 4,10 € |
| 1000 + | 0,20 € | 4,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 222-4717
- Referência do fabricante:
- IPU80R4K5P7AKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 13W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 13W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de la serie Cool MOS™ P7 Marca un nuevo hito en tecnologías de súper unión 800V y combina el mejor rendimiento de su clase con la facilidad de uso más Art, resultado de la innovación de tecnología de súper unión pionera de Infineon desde hace más de 18 años.
Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS
Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha
Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 1.5 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPS80R900P7AKMA1, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 7 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPU80R750P7AKMA1, VDSS 800 V, ID 7 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPS80R750P7AKMA1, VDSS 800 V, ID 7 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 1.5 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN80R4K5P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 1.5 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines