MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPS80R900P7AKMA1, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 214-9110
- Referência do fabricante:
- IPS80R900P7AKMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 15 unidades)*
12,375 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 1455 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,825 € | 12,38 € |
| 75 - 135 | 0,783 € | 11,75 € |
| 150 - 360 | 0,751 € | 11,27 € |
| 375 - 735 | 0,719 € | 10,79 € |
| 750 + | 0,668 € | 10,02 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-9110
- Referência do fabricante:
- IPS80R900P7AKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 900mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 45W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 2.35 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Altura | 6.22mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 900mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 45W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 2.35 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.7mm | ||
Altura 6.22mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La Infineon más reciente serie 800V CoolMOS P7 establece un nuevo punto de referencia en tecnologías de súper unión 800V y combina el mejor rendimiento de su clase con la facilidad de uso más Art, como resultado de la innovación de tecnología de súper unión pionera de más de 18 años de Infineon. Son fáciles de manejar y de poner en paralelo, lo que permite diseños de mayor densidad de potencia, ahorro en listas de materiales y costes de montaje más bajos.
Cartera totalmente optimizada
Protección ESD de diodo Zener integrada
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 1.5 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPU80R4K5P7AKMA1, VDSS 800 V, ID 1.5 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 7 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPU80R750P7AKMA1, VDSS 800 V, ID 7 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPS80R750P7AKMA1, VDSS 800 V, ID 7 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 16 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 17 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
