MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN70R1K2P7SATMA1, VDSS 700 V, ID 9.4 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4687
- Referência do fabricante:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 222-4687
- Referência do fabricante:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6.3W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.8mm | |
| Anchura | 3.7 mm | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6.3W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.8mm | ||
Anchura 3.7 mm | ||
Longitud 6.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon Design de Cool MOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. El último Cool MOS™ P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc.
Validación del producto conforme Estándar JEDEC
Diodo de protección ESD integrado de pérdidas de conmutación bajas (Eoss)
Excelente comportamiento térmico
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