MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC037N08NS5ATMA1, VDSS 80 V, ID 131 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 222-4618
- Referência do fabricante:
- BSC037N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
9,38 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 11.420 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 1,876 € | 9,38 € |
| 25 - 45 | 1,69 € | 8,45 € |
| 50 - 120 | 1,574 € | 7,87 € |
| 125 - 245 | 1,482 € | 7,41 € |
| 250 + | 1,37 € | 6,85 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 222-4618
- Referência do fabricante:
- BSC037N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 131A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | OptiMOS-TM5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 114W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.2mm | |
| Anchura | 6.1 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 131A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie OptiMOS-TM5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 114W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.2mm | ||
Anchura 6.1 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.35mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS
Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha
Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 131 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 80 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC070N10NS5ATMA1, VDSS 80 V, ID 80 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 55 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 23 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 74 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC123N08NS3GATMA1, VDSS 80 V, ID 55 A, Mejora, TDSON de 8 pines