MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal DMT4015LDV-7, VDSS 40 V, ID 21.2 A, PowerDI3333-8, Mejora de 8 pines, config. Doble

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET
Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*

15,30 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 1800 unidade(s) para enviar a partir do dia 05 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
25 - 250,612 €15,30 €
50 - 750,60 €15,00 €
100 - 2250,424 €10,60 €
250 - 9750,415 €10,38 €
1000 +0,301 €7,53 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
222-2875
Referência do fabricante:
DMT4015LDV-7
Fabricante:
DiodesZetex
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

DiodesZetex

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

21.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

DMT

Encapsulado

PowerDI3333-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.02Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión directa Vf

0.7V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

El MOSFET de modo de mejora de canal N DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.

Baja resistencia

Baja capacitancia de entrada

Velocidad de conmutación rápida

Fuga de entrada/salida baja

Puerta protegida contra ESD

Links relacionados