MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 26.5 A, PowerDI3333-8, Mejora de 8 pines, config. Doble
- Código RS:
- 222-2872
- Referência do fabricante:
- DMT4014LDV-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*
616,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 28 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,308 € | 616,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 222-2872
- Referência do fabricante:
- DMT4014LDV-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 26.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PowerDI3333-8 | |
| Serie | DMT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.019Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 26.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PowerDI3333-8 | ||
Serie DMT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.019Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal N DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja RDS(ON): Garantiza que se minimicen las pérdidas en el estado
Baja resistencia
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Fuga de entrada/salida baja
Links relacionados
- MOSFET DiodesZetex DMT4014LDV-7, VDSS 40 V, ID 26,5 A, PowerDI3333-8 de 8 pines
- MOSFET DiodesZetex DMTH48M3SFVW-7, VDSS 40 V, ID 52,4 A, PowerDI3333-8 de 8 pines
- MOSFET DiodesZetex DMT4015LDV-7, VDSS 40 V, ID 21,2 A, PowerDI3333-8 de 8 pines
- MOSFET DiodesZetex DMTH4014LFVWQ-7, VDSS 40 V, ID 49,8 A., PowerDI3333-8 de 8 pines
- MOSFET DiodesZetex DMTH10H032LFVWQ-13, VDSS 100 V, ID 26 A, PowerDI3333-8
- MOSFET DiodesZetex DMTH10H032LFVWQ-7, VDSS 100 V, ID 26 A, PowerDI3333-8
- MOSFET DiodesZetex DMTH10H032LFVW-13, VDSS 100 V, ID 26 A, PowerDI3333-8
- MOSFET DiodesZetex DMP2004UFG-7, VDSS 20 V, ID 115 A, PowerDI3333-8
