MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 21.2 A, PowerDI3333-8, Mejora de 8 pines, config. Doble
- Código RS:
- 222-2874
- Referência do fabricante:
- DMT4015LDV-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 222-2874
- Referência do fabricante:
- DMT4015LDV-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | DMT | |
| Encapsulado | PowerDI3333-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.02Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.7V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
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|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie DMT | ||
Encapsulado PowerDI3333-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.02Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.7V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.6nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal N DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja resistencia
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Fuga de entrada/salida baja
Puerta protegida contra ESD
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