MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal DMT4014LDV-7, VDSS 40 V, ID 26.5 A, PowerDI3333-8, Mejora de 8 pines, config. Doble
- Código RS:
- 222-2873
- Referência do fabricante:
- DMT4014LDV-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 222-2873
- Referência do fabricante:
- DMT4014LDV-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 26.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | DMT | |
| Encapsulado | PowerDI3333-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.019Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.7nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.1W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 26.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie DMT | ||
Encapsulado PowerDI3333-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.019Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.7nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.1W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal N DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja RDS(ON): Garantiza que se minimicen las pérdidas en el estado
Baja resistencia
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Fuga de entrada/salida baja
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