MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMT190N65S3HF, VDSS 650 V, ID 20 A, Mejora, PQFN de 4 pines
- Código RS:
- 221-6740
- Referência do fabricante:
- NTMT190N65S3HF
- Fabricante:
- onsemi
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | NTMT190N | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 190mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 162W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 34nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.1 mm | |
| Altura | 8.1mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie NTMT190N | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 190mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 162W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.1 mm | ||
Altura 8.1mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET on Semiconductor SUPERFET III tiene una familia de MOSFET de unión de super−(SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una−resistencia de conexión baja excepcional y un rendimiento de carga de puerta inferior. Esta Advanced Technology está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporciona un rendimiento de conmutación superior y resiste una velocidad dv/dt extrema.
Carga de puerta ultrabaja
Baja capacitancia de salida efectiva: 316 pF
100 % a prueba de avalancha
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