MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FCMT360N65S3, VDSS 650 V, ID 10 A, Mejora, PQFN de 4 pines
- Código RS:
- 195-2503
- Referência do fabricante:
- FCMT360N65S3
- Fabricante:
- onsemi
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- 195-2503
- Referência do fabricante:
- FCMT360N65S3
- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | FCMT | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 360mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.05mm | |
| Anchura | 8 mm | |
| Longitud | 8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie FCMT | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 360mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.05mm | ||
Anchura 8 mm | ||
Longitud 8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior, velocidad dv/dt y mayor energía de avalancha. Por lo tanto, el MOSFET SUPERFET III es muy adecuado para aplicaciones de alimentación de conmutación como aplicaciones de alimentación de servidor/telecomunicaciones, adaptador e inversor solar. El encapsulado Power88 es un encapsulado de montaje en superficie ultraestrecho (1mm de altura) con un perfil bajo y tamaño pequeño (8 * 8 mm2). El MOSFET SUPERFET III en un encapsulado Power88 ofrece un excelente rendimiento de conmutación gracias a la inductancia de fuente parásita inferior y fuentes de alimentación y accionamiento separadas.
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