MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 77 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
220-7493
Referência do fabricante:
IRFR3504ZTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

77A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

2.39 mm

Altura

6.22mm

Longitud

6.73mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La familia Infineon de MOSFET de potencia IRFET resistente está optimizada para baja RDS(on) y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y resistencia. La gama completa abarca una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Cualificación del producto según el estándar JEDEC

Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo
Amplia disponibilidad de los socios de distribución

Nivel de cualificación estándar del sector

La configuración de contactos estándar permite la sustitución directa

Alto rendimiento en aplicaciones de baja frecuencia

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