MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPB031N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7378
- Referência do fabricante:
- IPB031N08N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 220-7378
- Referência do fabricante:
- IPB031N08N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon OptiMOS 5 80V de potencia industrial IPB031N08N5 ofrece una reducción RDS(on) del 43 % en comparación con las generaciones anteriores y es ideal para altas frecuencias de conmutación. Los dispositivos de esta familia están especialmente diseñados para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones. Además, también se pueden utilizar en otras aplicaciones industriales como energía solar, controladores de baja tensión y adaptadores.
Optimizado para rectificación síncrona
Ideal para alta frecuencia de conmutación
Reducción de capacitancia de salida hasta un 44 %
Reducción de R DS(on) hasta el 44 %
Eficiencia del sistema más alta
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Requiere menos conexión en paralelo
Mayor densidad de potencia
Sobreimpulso de baja tensión
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