MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon BSZ100N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 220-7362
- Referência do fabricante:
- BSZ100N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
13,10 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,655 € | 13,10 € |
| 100 - 180 | 0,622 € | 12,44 € |
| 200 - 480 | 0,597 € | 11,94 € |
| 500 - 980 | 0,57 € | 11,40 € |
| 1000 + | 0,531 € | 10,62 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 220-7362
- Referência do fabricante:
- BSZ100N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 36W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 36W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.35mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La Infineon OptiMOS 5 60V está optimizada para rectificación síncrona en fuentes de alimentación Switched Mode (SMPS) como las que se encuentran en servidores y ordenadores de sobremesa y cargadores de tabletas. Además, estos dispositivos son una elección perfecta para una amplia gama de aplicaciones industriales, incluidos control de motor, microinversor solar y convertidor dc-dc de conmutación rápida.
Optimizado para rectificación síncrona
Un 40% menos de R DS(on) que los dispositivos alternativos
40% de mejora de FOM sobre dispositivos similares
Conformidad con RoHS, sin halógenos
Índice de protección MSL1
Eficiencia del sistema más alta
Requiere menos conexión en paralelo
Mayor densidad de potencia
Reducción de costes del sistema
Sobreimpulso de tensión muy baja
Links relacionados
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPZ40N04S5L4R8ATMA1, VDSS 40 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 20 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 176 A, Mejora, TSDSON de 8 pines