MOSFET y Diodo, N-Canal Infineon BSZ100N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 220-7362
- Referência do fabricante:
- BSZ100N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (20 unidades, em pack de 20)*
19,20 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 04 de outubro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,96 € | 19,20 € |
| 100 - 180 | 0,911 € | 18,22 € |
| 200 - 480 | 0,874 € | 17,48 € |
| 500 - 980 | 0,835 € | 16,70 € |
| 1000 + | 0,777 € | 15,54 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 220-7362
- Referência do fabricante:
- BSZ100N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 36W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.2mm | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 36W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.2mm | ||
Longitud 5.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET y diodo de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 40 A - BSZ100N06NSATMA1
Este componente de MOSFET y diodo es un dispositivo de mejora de canal N de montaje en superficie diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia que requieren bajas pérdidas de conducción y rendimiento de diodo integrado. Funciona en un amplio rango de temperaturas y es adecuado para diseños que requieren un manejo de corriente continua considerable mientras está instalado en un encapsulado TSDSON compacto.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje-fuente de 60 V permite aplicaciones de conmutación de media tensión
• La RDS(on) máxima de 1 mΩ minimiza las pérdidas por conducción bajo carga
• La corriente de drenaje continua de 40 A admite etapas de potencia de alta corriente
• La carga de puerta típica de 12 nC permite un comportamiento de conmutación controlado
• La disipación de potencia máxima de 36 W mantiene la carga térmica brevemente
• El límite de puerta-fuente de 20 V proporciona espacio para circuitos de accionamiento
• La RDS(on) máxima de 1 mΩ minimiza las pérdidas por conducción bajo carga
• La corriente de drenaje continua de 40 A admite etapas de potencia de alta corriente
• La carga de puerta típica de 12 nC permite un comportamiento de conmutación controlado
• La disipación de potencia máxima de 36 W mantiene la carga térmica brevemente
• El límite de puerta-fuente de 20 V proporciona espacio para circuitos de accionamiento
Aplicaciones
• Apto para rectificación síncrona en convertidores de potencia
• Ideal para la conmutación de la etapa de salida del convertidor dc-dc
• Se utiliza con medios puentes de accionamiento por motor que requieren alta corriente
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y conmutación de carga
• Se utiliza para la regulación del punto de carga en sistemas compactos
• Ideal para la conmutación de la etapa de salida del convertidor dc-dc
• Se utiliza con medios puentes de accionamiento por motor que requieren alta corriente
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y conmutación de carga
• Se utiliza para la regulación del punto de carga en sistemas compactos
¿Qué intervalo de temperatura puede tolerar en funcionamiento?
Está especificado para funcionar desde −55 °C hasta 150 °C.
¿Qué método de montaje es necesario para el montaje?
Está diseñado para montaje en superficie en un encapsulado TSDSON.
¿Cuántos contactos de conexión están disponibles para el diseño de la placa de circuito impreso?
El dispositivo utiliza ocho contactos para conexiones eléctricas y mecánicas.
¿Qué modo de conducción de canal emplea?
Se trata de un dispositivo de canal N de modo de mejora.
Links relacionados
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPZ40N04S5L4R8ATMA1, VDSS 40 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 250 V, ID 10.9 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 126 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 176 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 114 A, Mejora, TSDSON de 8 pines