MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines

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Código RS:
165-5979
Referência do fabricante:
BSZ060NE2LSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

TSDSON

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.87V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20, +20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.1nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

26W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.1mm

Anchura

3.4mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.4mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 25 V, corriente de drenaje continua máxima de 40 A - BSZ060NE2LSATMA1


Este MOSFET es un transistor de canal N de montaje en superficie diseñado para la conmutación y gestión de potencia en sistemas electrónicos compactos. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para aplicaciones de alta corriente en las que se requieren bajas pérdidas por conducción y una conmutación eficiente. El dispositivo se suministra en un encapsulado TSDSON de 8 contactos adecuado para montajes densos y enrutamiento térmico en diseños de PCB.

Características y ventajas:


• La resistencia de conexión muy baja de 8,1 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La corriente de drenaje nominal continua de 40 A admite cargas de alta corriente
• La disipación de potencia máxima de 26 W permite un manejo de calor considerable
• La carga de puerta típica de 9,1 nC permite un rendimiento de conmutación eficiente
• La tensión directa de 0,87 V minimiza la caída de tensión bajo carga
• La tolerancia de tensión de fuente de puerta de hasta 20 V ofrece márgenes de accionamiento flexibles

Aplicaciones


• Adecuado para etapas de potencia de convertidor reductor síncrono
• Ideal para módulos reguladores dc-dc de alta corriente
• Se utiliza con servidores y sistemas de distribución de energía de telecomunicaciones
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y circuitos de carga
• Adecuado para etapas de preaccionamiento de accionamiento de motor

¿Qué rango térmico puedo esperar para el despliegue?


El dispositivo está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos con amplia variación de temperatura.

¿Cómo ayuda el encapsulado a la integración de PCB?


El factor de forma TSDSON proporciona un tamaño de montaje en superficie de perfil bajo que facilita la colocación cercana de componentes y la conducción térmica directa al cobre de PCB.

¿Qué consideraciones sobre accionamiento de puerta se requieren?


El transistor admite tensiones de fuente de puerta de hasta 20 V

utilizar controladores de puerta que permanezcan dentro de este límite al tiempo que proporcionan una carga suficiente para una conmutación rápida.

¿Cuántos contactos están disponibles para el diseño?


Hay ocho contactos, lo que permite varias conexiones para el drenaje, la fuente y el enrutamiento de puertas para optimizar las rutas de corriente y el rendimiento térmico.

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