MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon BSC028N06NSTATMA1, VDSS 60 V, ID 137 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 220-7352
- Referência do fabricante:
- BSC028N06NSTATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
11,94 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 1905 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,388 € | 11,94 € |
| 50 - 120 | 2,078 € | 10,39 € |
| 125 - 245 | 1,934 € | 9,67 € |
| 250 - 495 | 1,814 € | 9,07 € |
| 500 + | 1,672 € | 8,36 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 220-7352
- Referência do fabricante:
- BSC028N06NSTATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 137A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 37nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.1 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 137A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 37nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.1 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.35mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon OptiMOS 5 de potencia en encapsulado SuperSO8 ofrece la última tecnología junto con mejoras de temperatura en el encapsulado. Esta nueva combinación permite una mayor densidad de potencia, así como una mayor solidez. En comparación con los dispositivos de menor valor nominal, la función TJ_MAX de 175 °C ofrece más potencia a una temperatura de unión de funcionamiento superior o una vida útil superior a la misma temperatura de unión de funcionamiento. Además, se consigue una mejora del 20 % en el área de funcionamiento seguro (SOA). Esta nueva característica de encapsulado es perfecta para aplicaciones como telecomunicaciones, controladores de motor y servidor.
Baja RDS(on)
Optimizado para rectificación síncrona
Capacidad de 175 °C mejorada en SuperSO8
Vida útil más larga
Máxima eficiencia y densidad de potencia
Máxima fiabilidad del sistema
Resistencia térmica
Links relacionados
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 137 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 42 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 288 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 40 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 20 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 120 A, Mejora, TDSON de 8 pines