MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 28 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 913-4809
Referência do fabricante:: IRLR2705TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 28 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:: 913-4809
Referência do fabricante:: IRLR2705TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	28A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Encapsulado	TO-252
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	65mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd	68W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	16 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	25nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	6.73mm
	Altura	2.39mm
	Anchura	6.22 mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 28A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Encapsulado TO-252
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd 68W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 6.73mm
	Altura 2.39mm
	Anchura 6.22 mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 28 A, disipación de potencia máxima de 68 W - IRLR2705TRPBF

Este MOSFET está diseñado para ofrecer un rendimiento excepcional en una amplia gama de aplicaciones electrónicas. Aprovechando los modernos avances de la tecnología MOSFET, desempeña un papel importante en aplicaciones de conmutación en las que la eficiencia y la fiabilidad son esenciales. Sus características distintivas lo convierten en una excelente opción para sistemas eléctricos y de automatización que requieren un manejo de corrientes elevadas y un funcionamiento robusto.

Características y ventajas

• La alta corriente de drenaje continua de 28 A mejora el rendimiento

• La tensión nominal máxima de 55 V aumenta la capacidad de conmutación

• La baja resistencia a la conexión de 65mΩ minimiza la pérdida de energía

• Funciona eficazmente a temperaturas de hasta +175°C

• Diseñado para montaje en superficie en un encapsulado DPAK TO-252 para mayor eficacia

• La configuración en modo de mejora única facilita el diseño de circuitos

Aplicaciones

• Adecuado para la gestión de la energía en la automatización industrial

• Ideal para la conmutación energéticamente eficiente en fuentes de alimentación

• Utilizados habitualmente en circuitos de control de motores

• Adecuado para su uso en convertidores CC-CC

¿Cuál es la potencia máxima disipada por este componente?

La potencia máxima disipada es de 68 W, lo que permite una gestión eficaz del calor durante el funcionamiento.

¿Cómo afecta el rango de temperatura de funcionamiento al uso?

El dispositivo funciona eficazmente entre -55 °C y +175 °C, por lo que es apto para diversas condiciones ambientales.

¿Existe algún método de instalación específico recomendado para este MOSFET?

El dispositivo está diseñado para montaje en superficie mediante técnicas como la soldadura para garantizar conexiones fiables.

¿Se puede utilizar este MOSFET en paralelo con otros?

Sí, puede utilizarse en configuraciones paralelas, pero es esencial una gestión térmica adecuada para evitar el sobrecalentamiento.

¿Qué tipo de accionamiento de compuerta se recomienda para un rendimiento óptimo?

Se recomienda un accionamiento de puerta de nivel lógico para una conmutación eficiente, garantizando que el dispositivo funcione dentro de sus niveles de umbral especificados.