MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 360 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 219-6016
- Referência do fabricante:
- IPW60R024CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 219-6016
- Referência do fabricante:
- IPW60R024CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 360A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS CSFD | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 24mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 183nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 320W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 5.21mm | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 21.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 360A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolMOS CSFD | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 24mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 183nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 320W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 5.21mm | ||
Longitud 16.13mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 21.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de superunión CoolMOS CFD7 de Infineon IPW60R024CFD7 en 600V es ideal para topologías resonantes en SMPS de alta potencia, como estaciones de carga de servidor, telecomunicaciones y EV, donde permite mejoras significativas de eficiencia. Como sucesor de la familia de MOSFET CFD2 SJ, se suministra con carga de puerta reducida, comportamiento de apagado mejorado y hasta un 69 % menos de carga de recuperación inversa en comparación con la competencia.
Diodo de cuerpo ultrarrápido
La mejor carga de recuperación inversa (Qrr) de su clase
Resistencia mejorada de diodo inverso dv/dt y dif/dt
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