MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 386 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 219-6018
- Referência do fabricante:
- IPW60R024P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 219-6018
- Referência do fabricante:
- IPW60R024P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 386A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 24mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 164nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 291W | |
| Tensión directa Vf | 900mV | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 5.21mm | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 21.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 386A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 24mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 164nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 291W | ||
Tensión directa Vf 900mV | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 5.21mm | ||
Longitud 16.13mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 21.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de superunión CoolMOS P7 de 600V V Infineon es el sucesor de la serie CoolMOS™ P6 de 600V V. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la carga de puerta inherentemente baja (QG) de la plataforma CoolMOS™ de 7th generación garantizan su alta eficiencia.
600V P7 permite una excelente FOM RDS(on)xEoss y RDS(on)xQG
Resistencia de puerta integrada RG
Diodo de cuerpo resistente
Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante
Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial
El RG integrado reduce la sensibilidad de oscilación del MOSFET
MOSFET es adecuado para topologías de conmutación tanto rígidas como resonantes como PFC y LLC
Excelente resistencia durante conmutación dura del diodo del cuerpo visto en topología LLC
Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones finales y potencias de salida
Piezas disponibles adecuadas para aplicaciones industriales y de consumo
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