MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 55 V, ID 5.5 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 219-4327
- Referência do fabricante:
- BUK98150-55A/CUF
- Fabricante:
- Nexperia
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- Código RS:
- 219-4327
- Referência do fabricante:
- BUK98150-55A/CUF
- Fabricante:
- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | BUK98150 | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 161mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.3nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 15 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 8W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.3mm | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Anchura | 3.7 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie BUK98150 | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 161mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.3nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 15 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 8W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.3mm | ||
Longitud 6.7mm | ||
Anchura 3.7 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Transistor de efecto campo de modo de mejora de canal N de nivel lógico Nexperia BUK98150-55A/CUF (FET) en un encapsulado de plástico usando tecnología TrenchMOS
Bajas pérdidas de conducción gracias a la baja resistencia en funcionamiento
Compatible con Q101
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