MOSFET, N-Canal Nexperia, VDSS 250 V, ID 375 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:
165-9992
Referência do fabricante:
BSP126,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

375mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Encapsulado

SOT-223

Serie

BSP126

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

1.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.7mm

Altura

1.7mm

Longitud

6.7mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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