MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 25 V, ID 5.5 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 204-9958
- Referência do fabricante:
- STN6N60M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 204-9958
- Referência do fabricante:
- STN6N60M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Serie | STN6N60M2 | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.25Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.8mm | |
| Altura | 1.8mm | |
| Anchura | 6.48 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Serie STN6N60M2 | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.25Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.8mm | ||
Altura 1.8mm | ||
Anchura 6.48 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de canal N desarrollado con tecnología MDmesh M2. Gracias a su diseño de tira y a una estructura vertical mejorada, el dispositivo muestra baja resistencia de conexión y características de conmutación optimizadas, lo que lo convierte en adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.
Carga de puerta extremadamente baja
Excelente perfil de capacitancia de salida (Coss)
100 % a prueba de avalancha
Protección Zener
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