Módulos MOSFET STMicroelectronics, N-Canal SCTH40N120G2V7AG, VDSS 1.2 kV, ID 33 A, H2PAK-7, Reducción de 7 pines
- Código RS:
- 202-5482
- Referência do fabricante:
- SCTH40N120G2V7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 202-5482
- Referência do fabricante:
- SCTH40N120G2V7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | Módulos MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 1.2 kV | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 33 A | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 0.105 Ω | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | SCT | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto Módulos MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 33 A | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Modo de canal Reducción | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 0.105 Ω | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie SCT | ||
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
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