Módulos MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCTH40N120G2V7AG, VDSS 1200 V, ID 33 A, H2PAK-7, Reducción de 7 pines
- Código RS:
- 202-5482
- Referência do fabricante:
- SCTH40N120G2V7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 202-5482
- Referência do fabricante:
- SCTH40N120G2V7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Módulos MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.105Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Módulos MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie SCT | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.105Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
El MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado automotriz de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC avanzada e innovadora de 2a generación de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión notablemente baja por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia
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