MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR4105TRPBF, VDSS 55 V, ID 27 A, TO-252 de 3 pines

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*

18,65 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 10.150 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
25 +0,746 €18,65 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
218-3111
Referência do fabricante:
IRFR4105TRPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

27A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

45mΩ

Tensión directa Vf

0.045V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Altura

6.22mm

Anchura

2.39 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon de potencia de canal N serie HEXFET 55V. Utiliza técnicas Advanced Processing para lograr la resistencia de conexión más baja posible por área de silicio. Este MOSFET está diseñado para montaje en superficie mediante técnicas de soldadura por ola, infrarrojos o fase de vapor.

Resistencia de encendido ultrabaja

Conmutación rápida

Sin cables

Links relacionados