MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 27 A, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3110
- Referência do fabricante:
- IRFR4105TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 218-3110
- Referência do fabricante:
- IRFR4105TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 27A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 34nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.045V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 6.22mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 2.39 mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 27A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.045V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 6.22mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 2.39 mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon de potencia de canal N serie HEXFET 55V. Utiliza técnicas Advanced Processing para lograr la resistencia de conexión más baja posible por área de silicio. Este MOSFET está diseñado para montaje en superficie mediante técnicas de soldadura por ola, infrarrojos o fase de vapor.
Resistencia de encendido ultrabaja
Conmutación rápida
Sin cables
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