MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 27 A, TO-252

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Código RS:
218-3110
Referência do fabricante:
IRFR4105TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

27A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

45mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.045V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

2.39 mm

Altura

6.22mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon de potencia de canal N serie HEXFET 55V. Utiliza técnicas Advanced Processing para lograr la resistencia de conexión más baja posible por área de silicio. Este MOSFET está diseñado para montaje en superficie mediante técnicas de soldadura por ola, infrarrojos o fase de vapor.

Resistencia de encendido ultrabaja

Conmutación rápida

Sin cables

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