MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 27 A, TO-252
- Código RS:
- 218-3110
- Referência do fabricante:
- IRFR4105TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*
744,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 10.000 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 0,372 € | 744,00 € |
| 4000 + | 0,353 € | 706,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 218-3110
- Referência do fabricante:
- IRFR4105TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 27A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 34nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.045V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 2.39 mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 6.22mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 27A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.045V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 2.39 mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 6.22mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon de potencia de canal N serie HEXFET 55V. Utiliza técnicas Advanced Processing para lograr la resistencia de conexión más baja posible por área de silicio. Este MOSFET está diseñado para montaje en superficie mediante técnicas de soldadura por ola, infrarrojos o fase de vapor.
Resistencia de encendido ultrabaja
Conmutación rápida
Sin cables
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR4105TRPBF, VDSS 55 V, ID 27 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 56 A, TO-252
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 18 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 61 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 89 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 17 A, TO-252
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFR5505TRLPBF, VDSS 55 V, ID 18 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR2405TRLPBF, VDSS 55 V, ID 56 A, TO-252
