MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 27 A, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
218-3110
Referência do fabricante:
IRFR4105TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

27A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

45mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Tensión directa Vf

0.045V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

6.22mm

Longitud

6.73mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

2.39 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon de potencia de canal N serie HEXFET 55V. Utiliza técnicas Advanced Processing para lograr la resistencia de conexión más baja posible por área de silicio. Este MOSFET está diseñado para montaje en superficie mediante técnicas de soldadura por ola, infrarrojos o fase de vapor.

Resistencia de encendido ultrabaja

Conmutación rápida

Sin cables

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