MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN70R600P7SATMA1, VDSS 700 V, ID 8.5 A, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3065
- Referência do fabricante:
- IPN70R600P7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 218-3065
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | 700V CoolMOSª P7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 600mΩ | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6.9W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.8mm | |
| Anchura | 3.7 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie 700V CoolMOSª P7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 600mΩ | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6.9W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.8mm | ||
Anchura 3.7 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon de potencia de canal N CoolMOS™ 700V. La nueva CoolMOS™ P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones de consumo sensibles a costes como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc. la nueva serie ofrece todas las ventajas de un MOSFET SuperJunction de conmutación rápida, combinado con una excelente relación precio/rendimiento y un nivel de facilidad Art.
Pérdidas extremadamente bajas debido a un FOM RDS(on)*QG and muy bajo RDS(on)*Eoss
Excelente comportamiento térmico
Diodo de protección ESD integrado
Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)
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