MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB027N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 166 A, N, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3027
- Referência do fabricante:
- IPB027N10N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 218-3027
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- IPB027N10N5ATMA1
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 166A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 166A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon OptiMOS™ 5 100V Power MOSFET. Se ha diseñado especialmente para rectificación síncrona en bloques de telecomunicaciones incluidos OR-ing, intercambio en caliente y protección de batería, así como para aplicaciones de fuente de alimentación de servidor.
RDS(on) de resistencia de conexión muy baja
Canal N, nivel normal
100 % a prueba de avalancha
Chapado sin plomo
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