MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 166 A, N, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3026
- Referência do fabricante:
- IPB027N10N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
1 874,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 29 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,874 € | 1 874,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 218-3026
- Referência do fabricante:
- IPB027N10N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 166A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 166A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon OptiMOS™ 5 100V Power MOSFET. Se ha diseñado especialmente para rectificación síncrona en bloques de telecomunicaciones incluidos OR-ing, intercambio en caliente y protección de batería, así como para aplicaciones de fuente de alimentación de servidor.
RDS(on) de resistencia de conexión muy baja
Canal N, nivel normal
100 % a prueba de avalancha
Chapado sin plomo
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB027N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 166 A, N, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 166 A, N, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 166 A, N, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB032N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 166 A, N, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB024N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 166 A, N, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 94 A, N, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 126 A, N, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 139 A, N, TO-263
