MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 166 A, N, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
218-3026
Referência do fabricante:
IPB027N10N5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

166A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOS 5

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.7mΩ

Modo de canal

N

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Infineon OptiMOS™ 5 100V Power MOSFET. Se ha diseñado especialmente para rectificación síncrona en bloques de telecomunicaciones incluidos OR-ing, intercambio en caliente y protección de batería, así como para aplicaciones de fuente de alimentación de servidor.

RDS(on) de resistencia de conexión muy baja

Canal N, nivel normal

100 % a prueba de avalancha

Chapado sin plomo

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