MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 211 A, N, TO-263
- Código RS:
- 258-3826
- Referência do fabricante:
- IPBE65R050CFD7AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
3 178,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 07 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 3,178 € | 3 178,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 258-3826
- Referência do fabricante:
- IPBE65R050CFD7AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 211A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 211A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La tecnología CoolMOS C3A de Infineon se ha diseñado para satisfacer las crecientes demandas de mayores tensiones del sistema en el área de vehículos eléctricos, como PHEV y BEV.
Mejor calidad y fiabilidad de su clase
Tensión de ruptura superior
Capacidad de corriente de pico alta
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPBE65R050CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 211 A, N, TO-263
- MOSFET Infineon, VDSS 650 V, ID 211 A, PG-TO-247
- MOSFET Infineon IPW65R050CFD7AXKSA1, VDSS 650 V, ID 211 A, PG-TO-247
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 46 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 31.2 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 23.8 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 57.2 A, Mejora, TO-263