MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFH5020TRPBF, VDSS 200 V, ID 34 A, Mejora, SuperSO de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

8,84 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 6760 unidade(s) para enviar a partir do dia 20 de abril de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 +0,884 €8,84 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
217-2609
Referência do fabricante:
IRFH5020TRPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

34A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

SuperSO

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

55mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

3.6W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

5mm

Altura

0.9mm

Estándar de automoción

No

El Infineon 200V MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado PQFN 5mm X 6mm.

Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Cualificación del producto según el estándar JEDEC

Nivel normal : optimizado para una tensión de accionamiento de puerta de 10 V.

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

Links relacionados