MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 95 A, Mejora, SuperSO de 8 pines

Código RS:: 215-2460
Referência do fabricante:: BSC052N08NS5ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 95 A, Mejora, SuperSO de 8 pines

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Código RS:: 215-2460
Referência do fabricante:: BSC052N08NS5ATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	95A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	80V
	Serie	OptiMOS
	Encapsulado	SuperSO
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	5.2mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Tensión directa Vf	1.1V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	32nC
	Disipación de potencia máxima Pd	83W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 95A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V
	Serie OptiMOS
	Encapsulado SuperSO
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.2mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Tensión directa Vf 1.1V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC
	Disipación de potencia máxima Pd 83W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Datasheet - BSC052N08NS5ATMA1

MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 80 V, corriente de drenaje continua máxima de 95 A - BSC052N08NS5ATMA1

Este MOSFET es un transistor de modo de mejora de canal N de montaje en superficie diseñado para conmutación de alta corriente en electrónica de potencia. Está diseñado para aplicaciones que requieren una conducción eficiente y una conmutación rápida en un amplio rango ambiental, y se suministra en un encapsulado SuperSO de 8 pines adecuado para diseños de placa compactos.

Características y ventajas:

• Resistencia de conexión muy baja de 5,2 mΩ, lo que permite reducir las pérdidas por conducción
• Alta corriente de drenaje continuo de 95 A que permite un manejo de carga elevado
• Valor nominal de drenaje-fuente de 80 V compatible con diseños de media tensión
• Disipación de potencia máxima de 83 W que permite una carga térmica sostenida
• Carga de puerta típica de 32 nC para transiciones de conmutación más rápidas
• Tolerancia de fuente de puerta de 20 V para adaptarse a tensiones de accionamiento robustas

Aplicaciones

• Apto para convertidores dc-dc de alta eficiencia en carriles de alimentación
• Ideal para rectificación síncrona en etapas de alimentación
• Se utiliza para la conmutación de medio puente de accionamiento de motor e inversor
• Se puede utilizar para servidores y módulos de distribución de potencia de telecomunicaciones
• Se emplea en conmutación industrial donde se requiere un amplio rango de temperaturas

¿Qué temperaturas extremas puede tolerar el dispositivo durante el funcionamiento?

Está especificado para funcionar de –55 a 150 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos exigentes.

¿Qué método de montaje y encapsulado debo permitir en la placa?

El dispositivo se suministra en un encapsulado SuperSO de 8 contactos de montaje en superficie, por lo que el diseño debe alojar la almohadilla térmica y el patrón de tierra SMD.

¿Cómo se comporta el transistor cuando se acciona con tensiones de puerta más fuertes?

La fuente de puerta máxima es de 20 V

dentro de los cuales las tensiones de accionamiento más altas reducen RDS(on) y mejoran el rendimiento de conducción.

¿Qué características de conmutación afectan al diseño de los diseños de alta frecuencia?

Una carga de puerta típica de 32 nC determina la energía de accionamiento de puerta e influye en los circuitos de accionamiento y las estrategias de mitigación de EMI.