MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 98 A, Mejora, SuperSO de 8 pines

Código RS:: 215-2455
Referência do fabricante:: BSC032N04LSATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 98 A, Mejora, SuperSO de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*

1 620,00 €

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €

Em stock

Mais 5000 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026

Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)	Por unidade	Por Bobina*
5000 +	0,324 €	1 620,00 €

*preço indicativo

Código RS:: 215-2455
Referência do fabricante:: BSC032N04LSATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	98A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Encapsulado	SuperSO
	Serie	OptiMOS
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	4.4mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	25nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1V
	Disipación de potencia máxima Pd	52W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 98A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Encapsulado SuperSO
	Serie OptiMOS
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.4mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1V
	Disipación de potencia máxima Pd 52W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Datasheet - BSC032N04LSATMA1

MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 40 V, corriente de drenaje continua máxima de 98 A - BSC032N04LSATMA1

Este MOSFET es un transistor de canal N de alta corriente diseñado para conmutación de potencia y conversión de montaje en superficie en sistemas electrónicos exigentes. Funciona en un amplio rango ambiente y es adecuado para aplicaciones que requieren bajas pérdidas de conducción y un manejo de corriente continua significativo en un encapsulado SuperSO compacto.

Características y ventajas:

• Resistencia de conexión muy baja de 4,4 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• Capacidad de drenaje continuo de 98 A para cargas de corriente pesada
• Valor nominal de drenaje a fuente de 40 V para etapas de potencia de tensión media
• Disipación de potencia máxima de 52 W para cabecera térmica
• Carga de puerta típica de 25 nC que permite un accionamiento de puerta eficiente
• Funciona de –55 a 175 °C para una tolerancia de temperatura ampliada

Aplicaciones

• Adecuado para convertidores dc-dc de alta corriente en fuentes de alimentación
• Ideal para rectificación síncrona en gestión de potencia
• Se utiliza para etapas de accionamiento de motor que requieren piezas de montaje en superficie
• Puede utilizarse para la distribución de energía de telecomunicaciones y servidores
• Adecuado para sistemas alimentados por batería que necesitan una conmutación de Vf baja

¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta se requieren para una conmutación eficiente?

Los circuitos Drive deben proporcionar una corriente de pico suficiente para cargar rápidamente la puerta de 25 nC al tiempo que controlan el paso de conmutación para equilibrar la pérdida de conmutación y las interferencias electromagnéticas.

¿Cómo debe abordarse la gestión térmica en la PCB?

Utilice planos de cobre multicapa y vias térmicas por debajo de la huella SuperSO para distribuir la disipación de 52 W y una menor resistencia térmica de unión a placa.

¿Qué tensiones eléctricas debe soportar el dispositivo durante eventos transitorios?

El dispositivo tiene un valor nominal de estado estable de 40 V Vds

se debe aplicar protección transitoria, como amortiguadores o supresión de tensión transitoria, para limitar el exceso de tensión por encima de este nivel.

¿Existen prácticas de diseño específicas para minimizar la pérdida por conducción?

Trazas de cobre largas y cortas para conexiones de drenaje y fuente y minimizar la inductancia de bucle entre el dispositivo y su accionamiento de puerta para preservar la ventaja de 4,4 mΩ baja.