MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF3805STRLPBF, VDSS 55 V, ID 210 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2598
- Referência do fabricante:
- IRF3805STRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
22,44 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 1950 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 4,488 € | 22,44 € |
| 25 - 45 | 4,04 € | 20,20 € |
| 50 - 120 | 3,77 € | 18,85 € |
| 125 - 245 | 3,544 € | 17,72 € |
| 250 + | 2,244 € | 11,22 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 217-2598
- Referência do fabricante:
- IRF3805STRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 210A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 190nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.3mm | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 210A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 190nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.3mm | ||
Longitud 6.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon HEXFET® Power utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetida mejorado. Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzados
Resistencia de encendido ultrabaja
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Sin cables
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 210 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 70 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 29 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 94 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 86 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-263 de 3 pines