MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
223-8514
Referência do fabricante:
IPD26N06S2L35ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-263

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

35mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.95V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N serie OptiMOS de Infineon en encapsulado DPAK. Tiene ventajas de la capacidad de corriente más alta, las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para la máxima eficiencia térmica y encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.

Certificación AEC Q101 para automoción

260 MSL1 hasta •°C de reflujo Peak

Temperatura de funcionamiento de •175 °C.

•Paquete verde

•RDS ultra baja

Prueba de avalancha de •100 %

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