MOSFET, N-Canal Infineon IPP80R900P7XKSA1, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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217-2572
Referência do fabricante:
IPP80R900P7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

CoolMOS P7

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

900mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

900mV

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.36mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

29.95mm

Anchura

4.57mm

Estándar de automoción

No

La serie Infineon 800V CoolMOS™ P7 de MOSFET de superunión es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia al satisfacer por completo las necesidades del mercado en rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno, incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial. Esta nueva familia de productos ofrece hasta un 0,6 % de ganancia de eficiencia y una temperatura MOSFET entre 2 °C y 8 °C inferior en comparación con su predecesor, así como con piezas de la competencia probadas en aplicaciones de retorno típicas. También permite diseños de mayor densidad de potencia gracias a menores pérdidas de conmutación y mejores productos DPAK R DS(on). En general, ayuda a los clientes a ahorrar costes de LDM y a reducir el esfuerzo de ensamblaje.

El mejor FOM R DS(on) * E OSS de su clase; QG, C ISS y C oss reducidos

El mejor DPAK R DS(on) de su clase de 280mΩ

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